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課程類別：半導體製程 (執行單位 : 國立交通大學)

課程名稱 課程介紹 收費方式
CMOS電性量測與分析技術

**報名已截止**		 1.低電流/低電壓測試系統 (Low current/low voltage measurement technology)
2.MOS電容基本參數測試(Basic parameters of MOS capacitor)
3.MOSFET基本參數測試 (Basic parameters of MOSFET)
4.接觸阻抗測試技術 (Contact resistance measurement method)
5.介面能態測試技術 (Interface state density measurement method)
6.電荷汲取測試技術 (Charge pumping measurement method)
※修課建議※
1.建議先修至少一學期的半導體元件物理。
2.尚無精密電性量測經驗的人員，建議從初階開始選修。中高階課程需要足夠的半導體元件物理基礎，才能了解測量原理。
3.交大現就讀之電子系所學生修滿「初階」、「中階」結訓並取得結訓證書，可獲進入「元件電路計測教學實驗室」門禁權限；其他科系礙於大樓門禁與實驗室管理辦法，修滿亦無實驗室進入門禁使用權限。
收費

* 報名截止日：
2014/07/01

* 開課日期：
2014/07/01~2014/08/05
CCD與CMOS影像感測器

**報名已截止**		 1.影像感測器原理
i.CCD Image Sensor
ii.CMOS Image Sensor
2.影像訊號處裡
i.Raw Data Process
ii.Digital Image Data Process
3.未來新應用市場介紹
收費

* 報名截止日：
2014/07/05

* 開課日期：
2014/07/05~2014/07/12
TFT LCD驅動原理及設計

**報名已截止**		 1.Introduction to TFT LCD
2.Basic electronics for TFT LCD
3.TFT LCD panel design
4.TFT LCD driving system
收費

* 報名截止日：
2014/07/05

* 開課日期：
2014/07/05~2014/07/19
【免費演講,需完成報名程序】智慧行動裝置王牌技術AMOLED (Flexible AMOLED技術)

**報名已截止**		 (1) AMOLED vs. TFT-LCD
(2) AMOLED TFT Backplane技術
(3) OLED蒸鍍與封裝技術
(4) AMOLED量產材料、製程與設備現況
(5)目前AMOLED產品現況與未來趨勢
免費

* 報名截止日：
2014/07/10

* 開課日期：
2014/07/10
CMOS高壓製程

**報名已截止**		 一、簡介高壓工藝技術 二、高壓元件與製程 三、高壓驅動IC的製程平台 四、功率IC的製程平台 五、功率IC的高壓元件工程 六、特殊高壓製程技術
收費

* 報名截止日：
2014/07/16

* 開課日期：
2014/07/16~2014/08/06
【免費演講,需完成報名程序】軟性AMOLED關鍵技術

**報名已截止**		 1.軟性顯示器之需求
2.軟性AMOLED之關鍵材料與製程技術
3.目前軟性AMOLED國際發展現況
免費

* 報名截止日：
2014/07/17

* 開課日期：
2014/07/17
矽鍺材料與元件

**報名已截止**		 1. 矽鍺材料　
1.1 矽鍺晶體結構　
1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness)
　 1.3 矽鍺能帶結構(band structure)
2. 矽鍺成長　
2.1 CVD 磊晶　
2.2 MBE磊晶
3. 矽鍺元件　
3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs
3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs
3.3 SiGe HBTs
4. Ge元件　
4.1 Ge MOSFETs
4.2 Ge FinFETs
收費

* 報名截止日：
2014/07/24

* 開課日期：
2014/07/24~2014/07/31
半導體元件物理

**報名已截止**		 1. Semiconductor Fundamentals
2. PN Junctions
3. MOS Capacitor
4. MOS Transistor
5. MOSFET Scaling and Other Topics
6. Bipolar Transistor
建議先修課程：普物
收費

* 報名截止日：
2014/08/04

* 開課日期：
2014/08/04~2014/09/03
最夯手機和平板電腦封裝及PCB結構分析和元件封裝趨勢

**報名已截止**		 課程目的:本課程係屬現在利用產品實際cross-section 結構分析來瞭解 I phone and 三星手機和apple平板電腦所用元件封裝及PCB的材料,結構,及設計和元件封裝提供，消費電子、通訊、IC設計產業公司之從業人士獲得本課程知識後，可提升其技術水準、研發能力與競爭力，將本課程技術應用在多媒體及無線通訊產品之設計與開發上將可大大提升效能、超越現有產品技術之層次。
課程大綱
(1)I phone: CPU ,通訊IC, DRAM module, mainboard structure
(2)三星手機: CPU ,通訊IC, DRAM module, mainboard structure
(3)apple平板電腦: CPU ,通訊IC, DRAM module, mainboard structure
(4)BGA, PoP structure analysis and failure analysis
(5)ainboard and SMT failure analysis
收費

* 報名截止日：
2014/08/12

* 開課日期：
2014/08/12~2014/09/04
先進奈米級電晶體技術(含UTB, FinFET與奈米線元件)

**報名已截止**		 課程大綱:目前主流的平面CMOS元件結構預測在幾年內就將難以再微縮下去，屆時將會引用新式立體3D的結構(如FinFET)來延續邏輯電路的製作。另一方面，記 憶體晶片早以使用立體3D的電晶體結構來進行奈米技術的量產。當代生產線與研發工程人員須對這些有別於傳統的各種新式結構特徵及其優缺點，以及相關的製程 加工技術須有正確的認知，才能面對與應付將來新一代技術的挑戰與開發。本課程將可帶給IC產業相關工程與研發人員完整與心有價值的資訊，為下一代的量產技 術作準備。
課程目的:協助學員瞭解傳統平面CMOS元件發展的瓶頸與解決方案，3D半導體元件結構發展趨勢，3D半導體元件技術在邏輯與記憶體晶片之發展現況，與新式節能元件之原理與發展。
1. Planer CMOS: Scaling Trends and Challenges 。
2. Advanced Logic Device Technology。
- Ultra-thin body devices
- Double-gated and tri-gated devices
- Gate-all-around structure
- Independent multiple-gated devices
- Ultimate CMOS
3. Advanced Memory Device Technology
- SRAM and DRAM
- Non-volatile memory
- 3D device integration
收費

* 報名截止日：
2014/09/09

* 開課日期：
2014/09/09~2014/09/25
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