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總筆數[ 48 ] 每頁 10 筆，第 頁 / 共 5 頁 
課程類別：半導體人才培訓計畫
| 課程名稱 | 課程介紹 | 收費方式 |
|---|---|---|
| 【竹科管理局補助課程】第三代半導體之氮化物高電子遷移率電晶體市場與技術 | 1.高電子遷移率電晶體磊晶結構設計 2.高電子遷移率電晶體佈局設計 3.高電子遷移率電晶體製程流程 4.高電子遷移率電晶體直流特性與交流特性 5.電源轉換市場應用DC to DC converter、AC to DC converter 6.Regulated Linear Power Supply：Buck converter、Boost converter、Buck-Boost converter 7.低壓差穩壓器(Low-dropout regulator，LDO)市場與應用 8.高電子遷移率電晶體販賣規格與參數 |
收費 * 報名截止日：2023/09/28* 開課日期：2023/10/03~2023/10/04 |
| 【竹科管理局線上補助課程】低功率數位系統架構設計 | 1.Power & Energy 2.Arithmetic Operations 3.Precedence Graphs 4.Signal-Flow Graphs in Precedence Form 5.Computation Graphs 6.Equivalence Transformations 7.Interleaving and Pipelining 8.Algorithm Transformations9.DSP Rrepresentaions 10.Pipelining & Parallel Processing 11.Iteration Bounds 12.Time Scaling & Retiming |
收費 * 報名截止日：2023/10/12* 開課日期：2023/10/15~2023/10/22 |
| 【竹科管理局線上補助課程】半導體材料與製程技術 | 1.材料發展歷史與固態材料 2.材料晶體結構與常見之晶體缺陷 3.半導體材料物理基礎 4.基本電阻/電容/MOS電晶體結構 5.積體電路與半導體製程介紹 6.常見半導體材料介紹 7.銅製程結構、材料系統與製程技術介紹。 8.先進電晶體元件結構與材料 9.其他半導體材料介紹與未來發展趨勢 |
收費 * 報名截止日：2023/10/19* 開課日期：2023/10/21~2023/10/28 |
| 【竹科管理局補助課程】數位計算機座標旋轉演算法及架構設計 | 1.正、餘弦波形產生器概述 2.常見CORDIC 演算法 3.見CORDIC 硬體架構 4.改良型CORDIC演算法 5.改良型CORDIC硬體架構 6.效能評比 |
收費 * 報名截止日：2023/10/26* 開課日期：2023/10/29 |
| 【竹科管理局補助課程】低硬體資源之數位系統架構設計 | 1.Scheduling Formulation 2.Scheduling Algorithms 3.Resource Allocation 4.Resource Assignment 5.Unfolding Scheduling Formulation 6.Folding Scheduling Formulation 7.Register Minimization Techniques 8.Systolic Architecture Design |
收費 * 報名截止日：2023/11/02* 開課日期：2023/11/05~2023/11/12 |
| 【竹科管理局園慶講座】氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)電路解析(園慶) | 1.介紹氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 2.氮化鎵（GaN）在電力電子領域的應用。 3.氮化鎵（GaN）特性分析。 4.氮化鎵（GaN）驅動電路介紹。 5.積體化氮化鎵（GaN）驅動電路設計。 |
免費 * 報名截止日：2023/11/13* 開課日期：2023/11/15 |
| 【竹科管理局園慶講座】Reliability in 3D IC Technology(園慶) | ■Mean-Time-To-Failure equations in electronic devices based on entropy production 1.Introduction: Burn-in 2.3D IC technology; New electromigration failures 3.Black’s mean-time-to-failure (MTTF) equation for electromigration 4.Modified MTTF equations for electromigration based on entropy production 5.New MTTF equations for thermomigration and stress-migration 6.Summary ■Electromigration, Thermomigration, Stress-migration and Drop Test in 3D IC Technology 1.Introduction 2.3D IC technology; New failures 3.Electromigration 4.Thermomigration 5.Stress-migration 6.Drop Test 7.Summary |
免費 * 報名截止日：2023/11/14* 開課日期：2023/11/16 |
| 【竹科管理局線上補助課程】新型三維半導體元件-鰭式電晶體原理、技術與發展應用**報名已截止** | 1.基礎半導體物理與特性介紹 2.MOSFET電容與電晶體元件特性說明以及元件縮小化介紹 3.鰭式電晶體(FinFET)元件介紹與基礎操作原理說明 4.高介電質/金屬閘(HK/MG)鰭式電晶體(FinFET)元件介紹 5.鰭式電晶體(FinFET)元件尺寸效應、穩定性問題與元件調整技術 6.提升鰭式電晶體(FinFET)元件性能之應變工程(Strain Engineering)技術說明 7.鰭式電晶體(FinFET)元件可靠度介紹(TDDB, HCI, BTI等) 8.鰭式電晶體(FinFET)元件寄生效應-源/汲極寄生電阻(RSD), 自生熱(self-heating)效應, 低頻雜訊(low frequency noise)等等介紹 9.次世代鰭式電晶體(FinFET)元件介紹 10.鰭式電晶體(FinFET)元件應用領域與未來發展介紹 |
收費 * 報名截止日：2023/06/01* 開課日期：2023/06/03~2023/06/10 |
| 【竹科管理局補助課程】TCAD半導體製程與元件模擬(實作)**報名已截止** | 1. TCAD模擬軟體簡介與操作 2. MOS電晶體製程模擬實作 3. 基礎半導體物理與模擬實作 4. MS及PN接面二極體元件物理與模擬實作 5. BJT電晶體元件物理與模擬實作 6. MOS電容元件物理與模擬實作 7. MOS電晶體元件物理與模擬實作 8. MOS電晶體微縮原理與模擬實作 9. FINFET元件物理與模擬實作 |
收費 * 報名截止日：2023/06/08* 開課日期：2023/06/11~2023/07/16 |
| 【竹科管理局線上補助課程】PowerMOS元件設計工程與靜動態特性及封裝介紹**報名已截止** | 1.Physics & Engineering for Power MOSFET Devices - MOS Transistor - Vertical HV Devices (Diode, BJT, Power MOSFET) - Types of Power MOSFET - Power Device Applications - Advanced Power MOSFETs - WGB Power MOSFETs 2.High-voltage Power MOSFET Device Technologies - How to Achieve a High-voltage PowerMOS? - Power MOSFET Technologies - SOA Considerations in HV Devices 3.Package Technologies of Power MOSFET Devices - Device Reliability Technologies - Package Technologies - New Innovation Packages 4.Characteristics of Power MOSFET Components - Maximum rating values - Thermal Characteristics - Static Electrical Specifications (On/Off Characteristics) - Dynamic Specifications - Switching Characteristics and Performances |
收費 * 報名截止日：2023/06/08* 開課日期：2023/06/10~2023/06/17 |