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課程名稱 : 【竹科管理局補助課程】寬能隙功率半導體元件技術 課程內容 : 1. SiC 材料與特性 2. SiC 製程 3. SiC 功率元件overview 4. SiC Diode 5. SiC Transistor 6. SiC Market and Application 7. GaN 材料與特性 8. GaN 製程 9. GaN 功率元件overview 10. GaN HEMT 原理與性能 11. GaN HEMT 可靠度 12. GaN HEMT 最新產品及應用趨勢 先修課程 : 總筆數[ 1 ]   每頁 20 筆，第1 頁 / 共 1 頁 上課日期 上課時段 授課老師 報名截止日 上課地點 報名 課程費用 20211103-20211124 每週三，18:30~21:30 黃智方 20211101 清華大學第四綜合大樓 報名已截止 1200     專長：電力電子元件及電路、高功率射頻元件、寬能隙半導體 現職：國立清華大學電機資訊學院 教授 總筆數[ 1 ]   每頁 20 筆，第1 頁 / 共 1 頁