 課程名稱 |
矽鍺材料與元件 |
| 課程內容 |
1. 矽鍺材料 1.1 矽鍺晶體結構 1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness) 1.3 矽鍺能帶結構(band structure) 2. 矽鍺成長 2.1 CVD 磊晶 2.2 MBE磊晶 3. 矽鍺元件 3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs 3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs 3.3 SiGe HBTs 4. Ge元件 4.1 Ge MOSFETs 4.2 Ge FinFETs |
| 先修課程 |
| 上課日期 | 上課時段 | 授課老師 | 報名截止日 | 上課地點 | 報名 | 課程費用 |
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| 20140724-20140731 | Pm18:30-21:30(每週四) | 羅廣禮 博士 | 20140724 | 交通大學工程四館(實際上課教室於上課前一週通知) | 報名已截止 | 1500 |