 課程名稱 |
下世代立體場效電晶體元件整合 |
| 課程內容 |
課程摘要： 為因應面臨莫爾定律物理上的極限，未來5到7奈米製程技術節點以下先進電晶體元件微縮的方式已無法單純持續下去，勢必要有新材料與新結構的導入。綜觀過去在high strain SiGe、HKMG、及FinFET 3DFET結構的量產導入都只有短短十多年的研發時程。為了能讓半導體製造產業相關人士能瞭解未來CMOS製程技術的走向，本課程首先將從元件與整合的角度介紹未來CMOS製程技術中先進3D FET需要突破的挑戰，接著將介紹目前低操作偏壓中最具挑戰SS < 60 mV/dec的負電容材料的導入與整合，最後探討近年來最熱門的極致超薄原子層二維電子通道材料的研究成果。讓學員能從深入淺出的角度對下世代立體場效電晶體元件整合有一初步的瞭解。 建議學員可以先閱讀過Prof. Joachim N. Burghartz的”Guide to State-of -the-Art Electron Devices”或對於半導體製程技術有初步瞭解。 課程大綱： 1. 3D FET device options and concerns for emerging CMOS technology 2. Negative gate dielectric material for internal gain of SS < 60 mV/dec 3. 2D semiconductor material for extreme thin channel body scaling |
| 先修課程 |
| 上課日期 | 上課時段 | 授課老師 | 報名截止日 | 上課地點 | 報名 | 課程費用 |
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| 20160816-20160816 | 1830-2130 | 陳旻政 | 20160816 | 新竹科學工業園區同業公會(新竹科學園區展業一路2號) | 報名已截止 | 1000 |