 課程名稱 |
CMOS電性量測與分析技術（實作課） |
| 課程內容 |
課程大綱 初階 1. 低電流/低電壓測試系統 (Low current/low voltage measurement technology) 2. MOS電容基本參數測試(Basic parameters of MOS capacitor) 3. MOSFET基本參數測試 (Basic parameters of MOSFET) 中階 1. 接觸阻抗測試技術 (Contact resistance measurement method) 2. 介面能態測試技術 (Interface state density measurement method) 3. 電荷汲取測試技術 (Charge pumping measurement method) 課程目的 從初階的系統建置、雜訊排除開始，由淺入深，搭配各式精密數位儀表以及高階針測臺，對奈米CMOS元件的測量原理、方法及其量測系統作深入介紹，使學員能掌握CMOS元件特性及影響其特性參數之量測知識。本課程採教學、實作並行，使學員能立即吸收上課內容。 修課建議※ 1. 建議先修至少一學期的半導體元件物理。 2. 尚無精密電性量測經驗的人員，建議從初階開始選修。中高階課程需要足夠的半導體元件物理基礎，才能了解測量原理。 3. 交大現就讀之電子系所學生修滿「初階」、「中階」結訓並取得結訓證書，可獲進入「元件電路計測教學實驗室」門禁權限；其他科系礙於大樓門禁與實驗室管理辦法，修滿亦無實驗室進入門禁使用權限。 |
| 先修課程 |
1.建議先修至少一學期的半導體元件物理。 2.尚無精密電性量測經驗的人員，建議從初階開始選修。中高階課程需要足夠的半導體元件物理基礎，才能了解測量原理。 |
| 上課日期 | 上課時段 | 授課老師 | 報名截止日 | 上課地點 | 報名 | 課程費用 |
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| 20170624-20170726 | 每週三PM18:30~21:50 | 崔秉鉞 教授 | 20170624 | 交通大學光復校區工程四館321B計測實驗室 | 報名已截止 | 4500 |