課程名稱
矽鍺材料與元件
課程內容 課程大綱
1. 矽鍺材料
 1.1 矽鍺晶體結構
 1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness)
 1.3 矽鍺能帶結構(band structure)
2. 矽鍺成長
 2.1 CVD 磊晶
 2.2 MBE磊晶
3. 矽鍺元件
3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs
3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs
3.3 SiGe HBTs
4. Ge元件
 4.1 Ge MOSFETs
4.2 Ge FinFETs

課程目的
矽鍺技術已成功應用在半導體元件製造方面,如SiGe HBT, SiGe MOSFETs等。目前有關SiGe, Ge元件的研發仍然在持續當中。本課程主要讓學員在短時間內對SiGe材料的物理特性、電學特性、SiGe磊晶、SiGe相關元件以及最新進展有一個全面瞭解,以增強學員在該領域的知識背景和拓寬專業範圍。
先修課程 半導體物理或固態物理 
總筆數[ 1 ]   每頁 20 筆,第 頁 / 共 1
上課日期 上課時段 授課老師 報名截止日 上課地點 報名 課程費用
20170901-20170908 每週五PM18:30~21:30 羅廣禮 研究員 20170901 交通大學光復校區工程四館教室 報名已截止 2000
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