課程名稱 | 矽鍺材料與元件 |
課程內容 | 課程大綱 1. 矽鍺材料 1.1 矽鍺晶體結構 1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness) 1.3 矽鍺能帶結構(band structure) 2. 矽鍺成長 2.1 CVD 磊晶 2.2 MBE磊晶 3. 矽鍺元件 3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs 3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs 3.3 SiGe HBTs 4. Ge元件 4.1 Ge MOSFETs 4.2 Ge FinFETs 課程目的 矽鍺技術已成功應用在半導體元件製造方面,如SiGe HBT, SiGe MOSFETs等。目前有關SiGe, Ge元件的研發仍然在持續當中。本課程主要讓學員在短時間內對SiGe材料的物理特性、電學特性、SiGe磊晶、SiGe相關元件以及最新進展有一個全面瞭解,以增強學員在該領域的知識背景和拓寬專業範圍。 |
先修課程 | 半導體物理或固態物理 |
上課日期 | 上課時段 | 授課老師 | 報名截止日 | 上課地點 | 報名 | 課程費用 |
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20170901-20170908 | 每週五PM18:30~21:30 | 羅廣禮 研究員 | 20170901 | 交通大學光復校區工程四館教室 | 報名已截止 | 2000 |