 課程名稱 |
深次微米元件與製程模擬（實作課） |
| 課程內容 |
課程目的: 講解深次微米半導體元件與製程之基礎模式與模擬TCAD軟體實作實務。本課程由深次微米半導體元件與製程之模式與電腦模擬基本原理出發，同時輔以TCAD軟體(如: Sentaurus, …等)上機實作。從製程步驟、元件特性、與指令操作出發，以淺顯的指令解說TCAD，輔以1D/2D/3D MOSFET元件範例剖析讓學員了解模擬在深次微米元件與製程之應用。 課程大綱: 1. TCAD模式與模擬簡介 2. 深次微米元件與製程模式基礎原理 3. 深次微米元件與製程模擬技術實務 4. 製程模擬上機入門: 1D PN、BJT製程模擬實作 5. 製程模擬上機入門: 基本2D MOSFET製程模擬實作 6. 元件模擬上機入門: 基本2D MOSFET元件結構模擬實作 7. 深次微米N-/P-MOSFETs元件DC/AC特性模擬實作 8. 深次微米CMOS電路之Mixed Mode模擬實作 9. 3D深次微米MOSFETs模擬實作 |
| 先修課程 |
| 上課日期 | 上課時段 | 授課老師 | 報名截止日 | 上課地點 | 報名 | 課程費用 |
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| 20181013-20181027 | 每周六、日09:00-16:00 | 李義明 教授 | 20181013 | 交通大學電子資訊研究大樓503室 | 報名已截止 | 7000 |